2N1101
BJT
NPN
TO22
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.180 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO22 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.18 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1101:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1101?
Los reemplazos compatibles para el 2N1101 incluyen: 2N1095, 2N109-5, 2N1096, 2N1097, 2N1098, 2N1099, 2N110, 2N1100, 2N1102, 2N1103, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1101?
El 2N1101 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO22.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1101?
El 2N1101 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.