2N1110
BJT
NPN
TO22
Parametros Principales
Vcb Max.
16.000 V
Ic Max.
0.005 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
0.030 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO22 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 15 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.005 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 16 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.03 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1110:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1110?
Los reemplazos compatibles para el 2N1110 incluyen: 2N3055, 2N1103, 2N1104, 2N1105, 2N1106, 2N1107, 2N1108, 2N1109, 2N111, 2N1111, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1110?
El 2N1110 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO22.