2N1114
BJT
NPN
TO5
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 15 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1114:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1114?
Los reemplazos compatibles para el 2N1114 incluyen: 2N1107, 2N1108, 2N1109, 2N111, 2N1110, 2N1111, 2N1111A, 2N1111B, 2N1115, 2N1115A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1114?
El 2N1114 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.