2N1115
BJT
PNP
R32
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.125 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | R32 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.125 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1115:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1115?
Los reemplazos compatibles para el 2N1115 incluyen: 2N1108, 2N1109, 2N111, 2N1110, 2N1111, 2N1111A, 2N1111B, 2N1114, 2N1115A, 2N1116, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1115?
El 2N1115 es un transistor BJT PNP en encapsulado R32.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1115?
El 2N1115 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.125 A.