2N1125
BJT
PNP
TO30
Parametros Principales
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO30 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.6 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 40 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1125:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1125?
Los reemplazos compatibles para el 2N1125 incluyen: 2N111A, 2N112, 2N1120, 2N1121, 2N1122, 2N1122A, 2N1123, 2N1124, 2N1126, 2N1127, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1125?
El 2N1125 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO30.