2N1127
BJT
PNP
TO31
Parametros Principales
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.150 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO31 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.15 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1127:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1127?
Los reemplazos compatibles para el 2N1127 incluyen: 2N1120, 2N1121, 2N1122, 2N1122A, 2N1123, 2N1124, 2N1125, 2N1126, 2N1128, 2N1129, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1127?
El 2N1127 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO31.