2N1130
BJT
PNP
TO30
Parametros Principales
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.250 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO30 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.3 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 80 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.25 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1130:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1130?
Los reemplazos compatibles para el 2N1130 incluyen: 2N1124, 2N1125, 2N1126, 2N1127, 2N1128, 2N1129, 2N112A, 2N113, 2N1131, 2N1131-46, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1130?
El 2N1130 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO30.