2N1131-51
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
35.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.600 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 45 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 35 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.6 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1131-51:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1131-51?
Los reemplazos compatibles para el 2N1131-51 incluyen: 2N1127, 2N1128, 2N1129, 2N112A, 2N113, 2N1130, 2N1131, 2N1131-46, 2N1131A, 2N1131AS, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1131-51?
El 2N1131-51 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1131-51?
El 2N1131-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.