2N1132DCSM
BJT
PNP
LCC2
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.500 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC2 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1132DCSM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1132DCSM?
Los reemplazos compatibles para el 2N1132DCSM incluyen: 2N1131L, 2N1132CSM, 2N1132L, 2N1714S, 2N1715S, 2N1716S, 2N1717S, 2N1893X, 2N2060ADCSM, 2N2060L.
¿Que tipo de transistor es el 2N1132DCSM?
El 2N1132DCSM es un transistor BJT PNP en encapsulado LCC2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1132DCSM?
El 2N1132DCSM tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.