2N1135
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
12.000 V
Ic Max.
0.120 A
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 6 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.12 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 12 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1135:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1135?
Los reemplazos compatibles para el 2N1135 incluyen: 2N1131-51, 2N1131A, 2N1131AS, 2N1132, 2N1132-46, 2N1132-51, 2N1132A, 2N1132B, 2N1135A, 2N1136, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1135?
El 2N1135 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1135?
El 2N1135 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.120 A.