2N115
BJT
PNP
MT34
Parametros Principales
Vce Max.
32.000 V
Vcb Max.
32.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT34 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 32 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 32 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N115:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N115?
Los reemplazos compatibles para el 2N115 incluyen: 2N1146A, 2N1146B, 2N1146C, 2N1147, 2N1147A, 2N1147B, 2N1147C, 2N1149, 2N1150, 2N1151, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N115?
El 2N115 es un transistor BJT PNP en encapsulado MT34.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N115?
El 2N115 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 32.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.