2N1157A
BJT
PNP
TO61
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
40.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
187.000 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO61 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 40 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 28 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 187 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1157A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1157A?
Los reemplazos compatibles para el 2N1157A incluyen: 2N1150, 2N1151, 2N1152, 2N1153, 2N1154, 2N1155, 2N1156, 2N1157, 2N1158, 2N1158A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1157A?
El 2N1157A es un transistor BJT PNP en encapsulado TO61.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1157A?
El 2N1157A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 40.000 A.