2N1158
BJT
PNP
TO9
Parametros Principales
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
6.000
Potencia Max.
0.060 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO9 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 2 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.06 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 6 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1158:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1158?
Los reemplazos compatibles para el 2N1158 incluyen: 2N1151, 2N1152, 2N1153, 2N1154, 2N1155, 2N1156, 2N1157, 2N1157A, 2N1158A, 2N1159, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1158?
El 2N1158 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO9.