2N1179
BJT
PNP
TO45
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.010 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
0.080 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO45 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.01 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.08 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1179:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1179?
Los reemplazos compatibles para el 2N1179 incluyen: 2N3906, 2N1175, 2N1175A, 2N1175B, 2N1176, 2N1176A, 2N1176B, 2N1177, 2N1178, 2N118, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1179?
El 2N1179 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO45.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1179?
El 2N1179 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.