2N1199
BJT
NPN
TO9
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
12.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO9 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 75 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 2.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 12 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1199:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1199?
Los reemplazos compatibles para el 2N1199 incluyen: 2N1191, 2N1192, 2N1193, 2N1194, 2N1195, 2N1196, 2N1197, 2N1198, 2N1199A, 2N120, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1199?
El 2N1199 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO9.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1199?
El 2N1199 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.