2N1206

BJT NPN TO26

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 3.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO26
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 10 MHz
Collector Capacitance (Cc) 10 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1206:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1206?

Los reemplazos compatibles para el 2N1206 incluyen: 2N120, 2N1200, 2N1201, 2N1202, 2N1203, 2N1204, 2N1204A, 2N1205, 2N1207, 2N1208, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1206?

El 2N1206 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO26.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1206?

El 2N1206 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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