2N1210-1
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1210-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1210-1?
Los reemplazos compatibles para el 2N1210-1 incluyen: 2SC5198, 2N1205, 2N1206, 2N1207, 2N1208, 2N1208-1, 2N1209, 2N1209-1, 2N1210, 2N1211, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1210-1?
El 2N1210-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1210-1?
El 2N1210-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.