2N1212-1

BJT NPN TO61

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 12.000
Potencia Max. 90.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO61
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 1.2 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 90 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 12

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1212-1:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1212-1?

Los reemplazos compatibles para el 2N1212-1 incluyen: 2N1208-1, 2N1209, 2N1209-1, 2N1210, 2N1210-1, 2N1211, 2N1211-1, 2N1212, 2N1213, 2N1214, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1212-1?

El 2N1212-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO61.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1212-1?

El 2N1212-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

Scroll al inicio