2N122
BJT
NPN
MS7
Parametros Principales
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
0.140 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
3.500 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MS7 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.14 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 3.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N122:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N122?
Los reemplazos compatibles para el 2N122 incluyen: 2N1212-1, 2N1213, 2N1214, 2N1215, 2N1216, 2N1217, 2N1218, 2N1219, 2N1220, 2N1221, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N122?
El 2N122 es un transistor BJT NPN en encapsulado MS7.