2N1250

BJT NPN TO53

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 15.000
Potencia Max. 85.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO53
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 1 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 85 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 15

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1250:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1250?

Los reemplazos compatibles para el 2N1250 incluyen: 2N1243, 2N1244, 2N1245, 2N1246, 2N1247, 2N1248, 2N1249, 2N125, 2N1250-1, 2N1251, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1250?

El 2N1250 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO53.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1250?

El 2N1250 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

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