2N1250-1
BJT
NPN
TO53
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
75.000
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO53 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 75 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 75 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1250-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1250-1?
Los reemplazos compatibles para el 2N1250-1 incluyen: 2N1244, 2N1245, 2N1246, 2N1247, 2N1248, 2N1249, 2N125, 2N1250, 2N1251, 2N1252, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1250-1?
El 2N1250-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO53.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1250-1?
El 2N1250-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.