2N1257

BJT PNP TO5

Parametros Principales

Vce Max. 40.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 40.000
Potencia Max. 0.270 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO5
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 35 MHz
Collector Capacitance (Cc) 10 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 40 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.27 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 40

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1257:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1257?

Los reemplazos compatibles para el 2N1257 incluyen: 2N1251, 2N1252, 2N1252A, 2N1253, 2N1253A, 2N1254, 2N1255, 2N1256, 2N1258, 2N1259, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1257?

El 2N1257 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1257?

El 2N1257 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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