2N1265-5
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
10.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
6.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 25 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 6 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1265-5:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1265-5?
Los reemplazos compatibles para el 2N1265-5 incluyen: 2N1261A, 2N1262, 2N1262A, 2N1263, 2N1263A, 2N1264, 2N1264-13, 2N1265, 2N1266, 2N1267, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1265-5?
El 2N1265-5 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1265-5?
El 2N1265-5 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.