2N1314
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.500 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
12.000 W
Tj Max.
80.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3.5 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 80 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 12 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1314:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1314?
Los reemplazos compatibles para el 2N1314 incluyen: 2N5401, 2N1309, 2N1309A, 2N130A, 2N131, 2N1310, 2N1311, 2N1312, 2N1313, 2N1315, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1314?
El 2N1314 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.