2N1331
BJT
PNP
TO10
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO10 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 15 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1331:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1331?
Los reemplazos compatibles para el 2N1331 incluyen: 13009, 2N1325, 2N1326, 2N1327, 2N1328, 2N1329, 2N132A, 2N133, 2N1330, 2N1332, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1331?
El 2N1331 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO10.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1331?
El 2N1331 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.