2N1360
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
106.000 W
Tj Max.
110.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 25 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 110 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 106 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1360:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1360?
Los reemplazos compatibles para el 2N1360 incluyen: 2SC2879, 2N1355, 2N1356, 2N1357, 2N1358, 2N1358A, 2N1358M, 2N1359, 2N136, 2N1361, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1360?
El 2N1360 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.