2N1382

BJT PNP TO5

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 25.000 V
Ic Max. 0.200 A
hFE Min 50.000
Potencia Max. 0.250 W
Tj Max. 75.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO5
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 1 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 15 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 75 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.25 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 50

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1382:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1382?

Los reemplazos compatibles para el 2N1382 incluyen: 2N1375, 2N1376, 2N1377, 2N1378, 2N1379, 2N138, 2N1380, 2N1381, 2N1382BL, 2N1382BN, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1382?

El 2N1382 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1382?

El 2N1382 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.

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