2N1497

BJT PNP TO9

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 35.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 0.400 W
Tj Max. 85.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO9
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 400 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 2 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 35 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 85 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.4 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1497:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1497?

Los reemplazos compatibles para el 2N1497 incluyen: 2N1491, 2N1492, 2N1493, 2N1494, 2N1494A, 2N1495, 2N1495A, 2N1496, 2N1499, 2N1499A, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1497?

El 2N1497 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO9.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1497?

El 2N1497 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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