2N1504-10

BJT PNP TO10

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 25.000
Potencia Max. 23.000 W
Tj Max. 95.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO10
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 0.2 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 95 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 23 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 25

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1504-10:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1504-10?

Los reemplazos compatibles para el 2N1504-10 incluyen: 2N1499B, 2N149A, 2N150, 2N1500, 2N1500-18, 2N1501, 2N1502, 2N1504, 2N1505, 2N1506, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1504-10?

El 2N1504-10 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO10.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1504-10?

El 2N1504-10 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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