2N1504-10
BJT
PNP
TO10
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
23.000 W
Tj Max.
95.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO10 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 95 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 23 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1504-10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1504-10?
Los reemplazos compatibles para el 2N1504-10 incluyen: 2N1499B, 2N149A, 2N150, 2N1500, 2N1500-18, 2N1501, 2N1502, 2N1504, 2N1505, 2N1506, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1504-10?
El 2N1504-10 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO10.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1504-10?
El 2N1504-10 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.
