2N157
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 30 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N157:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N157?
Los reemplazos compatibles para el 2N157 incluyen: 2N1560, 2N1560A, 2N1561, 2N1562, 2N1564, 2N1565, 2N1566, 2N1566A, 2N1572, 2N1573, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N157?
El 2N157 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.