2N1612
BJT
PNP
TO37
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
4.500 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO37 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 4.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1612:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1612?
Los reemplazos compatibles para el 2N1612 incluyen: 2N1606, 2N1607, 2N1608, 2N1609, 2N160A, 2N161, 2N1610, 2N1611, 2N1613, 2N1613-46, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1612?
El 2N1612 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO37.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1612?
El 2N1612 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.