2N1620-1
BJT
NPN
TO61
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO61 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 60 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1620-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1620-1?
Los reemplazos compatibles para el 2N1620-1 incluyen: 2N1617A, 2N1618, 2N1618-1, 2N1618A, 2N1619, 2N161A, 2N162, 2N1620, 2N1621, 2N1622, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1620-1?
El 2N1620-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO61.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1620-1?
El 2N1620-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.