2N1658-13
BJT
PNP
TO13
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO13 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 40 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 85 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1658-13:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1658-13?
Los reemplazos compatibles para el 2N1658-13 incluyen: 2N1651, 2N1652, 2N1653, 2N1654, 2N1655, 2N1656, 2N1657, 2N1658, 2N1658A-13, 2N1659, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1658-13?
El 2N1658-13 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO13.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1658-13?
El 2N1658-13 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.