2N1658A-13

BJT PNP TO13

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 85.000 W
Tj Max. 100.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO13
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 20 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 40 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 100 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 85 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1658A-13:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N1658A-13?

Los reemplazos compatibles para el 2N1658A-13 incluyen: 2N1652, 2N1653, 2N1654, 2N1655, 2N1656, 2N1657, 2N1658, 2N1658-13, 2N1659, 2N1659-13, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N1658A-13?

El 2N1658A-13 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO13.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1658A-13?

El 2N1658A-13 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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