2N1662
BJT
NPN
TO53
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
45.000
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO53 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 25 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 85 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 45 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1662:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1662?
Los reemplazos compatibles para el 2N1662 incluyen: 2N1658-13, 2N1658A-13, 2N1659, 2N1659-13, 2N1659A-13, 2N166, 2N1660, 2N1661, 2N1663, 2N1664, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1662?
El 2N1662 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO53.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1662?
El 2N1662 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.