2N1673
BJT
PNP
TO33-1
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
35.000 V
Ic Max.
0.010 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.080 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO33-1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.01 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 35 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.08 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1673:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1673?
Los reemplazos compatibles para el 2N1673 incluyen: 2N1666, 2N1667, 2N1668, 2N1669, 2N167, 2N1670, 2N1672, 2N1672A, 2N1674, 2N1675, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1673?
El 2N1673 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO33-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1673?
El 2N1673 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.