2N1675
BJT
NPN
TO32
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO32 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 120 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1675:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1675?
Los reemplazos compatibles para el 2N1675 incluyen: 2N1668, 2N1669, 2N167, 2N1670, 2N1672, 2N1672A, 2N1673, 2N1674, 2N1676, 2N1677, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1675?
El 2N1675 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO32.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1675?
El 2N1675 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.