2N1709
BJT
NPN
TO8
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
8.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO8 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 150 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 8 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1709:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1709?
Los reemplazos compatibles para el 2N1709 incluyen: 2N1702, 2N1703, 2N1704, 2N1705, 2N1706, 2N1707, 2N1708, 2N1708A, 2N1710, 2N1711, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1709?
El 2N1709 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO8.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1709?
El 2N1709 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.