2N1714S
BJT
NPN
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Ic Max.
0.750 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 50 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.75 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1714S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1714S?
Los reemplazos compatibles para el 2N1714S incluyen: 2SC2383, 2N1131L, 2N1132CSM, 2N1132DCSM, 2N1132L, 2N1715S, 2N1716S, 2N1717S, 2N1893X, 2N2060ADCSM, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1714S?
El 2N1714S es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1714S?
El 2N1714S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.750 A.