2N1722
BJT
NPN
TO53
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
7.500 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO53 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 550 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1722:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1722?
Los reemplazos compatibles para el 2N1722 incluyen: 2N1715, 2N1716, 2N1717, 2N1718, 2N1719, 2N172, 2N1720, 2N1721, 2N1722-1, 2N1722A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1722?
El 2N1722 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO53.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1722?
El 2N1722 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.500 A.