2N1722-1
BJT
NPN
TO53
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
160.000 V
Ic Max.
7.500 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO53 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 550 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 160 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1722-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1722-1?
Los reemplazos compatibles para el 2N1722-1 incluyen: 2N1716, 2N1717, 2N1718, 2N1719, 2N172, 2N1720, 2N1721, 2N1722, 2N1722A, 2N1723, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1722-1?
El 2N1722-1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO53.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1722-1?
El 2N1722-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.500 A.