2N1779
BJT
NPN
TO46
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO46 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 15 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 15 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1779:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1779?
Los reemplazos compatibles para el 2N1779 incluyen: 2N176, 2N1760, 2N1761, 2N1762, 2N1763, 2N1764, 2N1768, 2N1769, 2N178, 2N1780, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1779?
El 2N1779 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO46.