2N1785
BJT
PNP
TO9
Parametros Principales
Vcb Max.
10.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.045 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO9 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.045 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1785:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1785?
Los reemplazos compatibles para el 2N1785 incluyen: 2N1769, 2N1779, 2N178, 2N1780, 2N1781, 2N1782, 2N1783, 2N1784, 2N1786, 2N1787, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1785?
El 2N1785 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO9.