2N1958
BJT
NPN
TO5
Parametros Principales
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.600 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 18 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.6 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1958:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1958?
Los reemplazos compatibles para el 2N1958 incluyen: 2N1950, 2N1951, 2N1952, 2N1953, 2N1954, 2N1955, 2N1956, 2N1957, 2N1958-18, 2N1958A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1958?
El 2N1958 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.