2N1966
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
35.000 V
Ic Max.
0.200 A
Potencia Max.
0.120 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 35 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.12 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1966:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1966?
Los reemplazos compatibles para el 2N1966 incluyen: 2N1962, 2N1962-46, 2N1963, 2N1963-46, 2N1964, 2N1964-46, 2N1965, 2N1965-46, 2N1967, 2N1968, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1966?
El 2N1966 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1966?
El 2N1966 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.