2N2070
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
12.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
95.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 12 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 95 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 75 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2070:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2070?
Los reemplazos compatibles para el 2N2070 incluyen: 2N2067G, 2N2067O, 2N2067W, 2N2068, 2N2068G, 2N2068O, 2N2069, 2N207, 2N2071, 2N2072, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2070?
El 2N2070 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
