2N2170
BJT
PNP
TO9
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.060 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO9 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 350 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 2.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.06 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2170:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2170?
Los reemplazos compatibles para el 2N2170 incluyen: 2N2163, 2N2164, 2N2165, 2N2166, 2N2167, 2N2168, 2N2169, 2N217, 2N2171, 2N2172, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2170?
El 2N2170 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO9.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2170?
El 2N2170 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.