2N2217-51

BJT NPN TO51

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 0.800 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 0.800 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO51
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 250 MHz
Collector Capacitance (Cc) 8 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.8 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.8 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2217-51:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N2217-51?

Los reemplazos compatibles para el 2N2217-51 incluyen: 2SC2625, 2N2208, 2N2209, 2N2210, 2N2211, 2N2212, 2N2214, 2N2216, 2N2217, 2N2217A, y 9 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N2217-51?

El 2N2217-51 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO51.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N2217-51?

El 2N2217-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.

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