2N2217-51
BJT
NPN
TO51
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.800 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO51 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 250 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 8 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2217-51:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2217-51?
Los reemplazos compatibles para el 2N2217-51 incluyen: 2SC2625, 2N2208, 2N2209, 2N2210, 2N2211, 2N2212, 2N2214, 2N2216, 2N2217, 2N2217A, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2217-51?
El 2N2217-51 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO51.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2217-51?
El 2N2217-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.
