2N2297-51
BJT
NPN
TO51
Parametros Principales
Vce Max.
35.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO51 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 12 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 35 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2297-51:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2297-51?
Los reemplazos compatibles para el 2N2297-51 incluyen: 2SB817, 2N2290, 2N2291, 2N2292, 2N2293, 2N2294, 2N2295, 2N2296, 2N2297, 2N2297S, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2297-51?
El 2N2297-51 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO51.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2297-51?
El 2N2297-51 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.