2N2387
BJT
NPN
TO50-1
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
180.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO50-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 8 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 180 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N2387:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N2387?
Los reemplazos compatibles para el 2N2387 incluyen: 2N2379, 2N238, 2N2380, 2N2380A, 2N2381, 2N2382, 2N2383, 2N2384, 2N2388, 2N2389, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N2387?
El 2N2387 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO50-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N2387?
El 2N2387 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.